SiC和GaN第三代功率半導(dǎo)體發(fā)展未受疫情影響
所屬分類:行業(yè)資訊 發(fā)布時間:2021-02-19
Omdia在其《SiC&GaN功率半導(dǎo)體報告—2020》中指出,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的新興市場正迅速從以初創(chuàng)企業(yè)為主的業(yè)務(wù)發(fā)展成為由大型電力半導(dǎo)體制造商主導(dǎo)的企業(yè)。該公司預(yù)計,到2020年底,收入將增長至8.54億美元(2018年僅為5.71億美元),2021年將超過10億美元。雖然這份預(yù)測沒有考慮到疫情的影響,但是從我們現(xiàn)在實際發(fā)展情況來看,SiC和GaN第三代功率半導(dǎo)體發(fā)展并未受到疫情影響。
功率半導(dǎo)體高級首席分析師理查德伊登(Richard Eden)表示:"SiC和GaN功率半導(dǎo)體行業(yè)的起源都是初創(chuàng)公司,其中許多公司現(xiàn)在已被大型老牌硅功率半導(dǎo)體制造商吞并。"
在2016-2019年期間,老牌企業(yè)Littelfuse收購了SiC初創(chuàng)公司Monolith Semiconductor,然后收購了老牌公司IXYS Semiconductor。安森美半導(dǎo)體與費爾柴爾德合并,后者此前收購了瑞典初創(chuàng)企業(yè)TranSiC,進入SiC市場。后來,Microchip Corp公司收購了Microsemi,為其提供了一系列SiC產(chǎn)品。此外,在此期間,一些制造商進入SiC市場,如ABB半導(dǎo)體,CRRC時代半導(dǎo)體,潘吉特國際,東芝和溫半導(dǎo)體。
GaN 市場初創(chuàng)公司中的早期參與者(如 EPC、GaN 系統(tǒng)、Transphorm 和 VisIC)仍在發(fā)展,一些與老牌硅功率半導(dǎo)體制造商結(jié)成聯(lián)盟,例如 Transphom 和富士通之間的聯(lián)系,以及 GaN Systems和ROHM 半導(dǎo)體。最初被硅功率半導(dǎo)體制造商收購的初創(chuàng)公司很少的原因之一可能是鑄造服務(wù)提供商的出現(xiàn),他們完善了 GaN on-Si epiwafers 和器件的生產(chǎn),建立了一個可行的無晶圓廠 GaN 制造商市場。
在過去12個月中,并購(M&A)數(shù)量有所減少。SiC功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)生了兩起并購事件,這兩起事件都與SiC晶圓供應(yīng)商有關(guān):ST微電子收購瑞典諾斯特電氣公司和SK Siltron收購杜邦的SiC晶圓業(yè)務(wù)(原陶氏化學(xué)公司)。此外,全球電力技術(shù)集團于2019年底更名為SemiQ。
在GaN電力半導(dǎo)體行業(yè),ST微電子今年早些時候收購了Exagan的多數(shù)股權(quán),打算在未來某個時候完成全面收購。進入GaN功率半導(dǎo)體行業(yè)的新進入者包括電力集成、NexGen電力系統(tǒng)、奧德賽半導(dǎo)體和泰戈爾技術(shù)。
英飛凌技術(shù)公司與阿爾法&歐米茄半導(dǎo)體公司合作,批量生產(chǎn)提供硅、SiC和GaN功率半導(dǎo)體。隨著GaN產(chǎn)品開發(fā)接近尾聲,安森美半導(dǎo)體非常接近加入這個獨家俱樂部。瑞薩電子、ROHM半導(dǎo)體、ST微電子和東芝電子都被認(rèn)為也加入了這個獨家俱樂部。
基板晶圓市場
SiC基板晶圓供應(yīng)市場正在緩慢擴張,許多領(lǐng)先企業(yè)宣布了產(chǎn)能擴張計劃,但晶圓價格下降的速度不夠快。然而,市場領(lǐng)導(dǎo)者的競爭還不夠激烈:Cree(沃爾夫斯佩德)已經(jīng)宣布與英飛凌技術(shù)、ST微電子和安森美半導(dǎo)體等設(shè)備生產(chǎn)商以及德爾福技術(shù)、大眾汽車集團和ZF弗里德里希港股份公司等汽車供應(yīng)商達成多項長期供應(yīng)協(xié)議。除了與克里(沃爾夫斯佩德)達成協(xié)議,ST微電子還透露了與SiCrystal(ROHM半導(dǎo)體擁有)的長期供應(yīng)協(xié)議,以及直接收購晶圓供應(yīng)商瑞典諾斯特爾。
在 GaN 基板晶圓供應(yīng)市場,2019 年最大的驚喜是,Power Integrations公司仍在隱身模式下,在 GaN 上藍寶石基板上生產(chǎn) GaN 系統(tǒng) ICs。Power Integrations公司于2010年收購了Vellox半導(dǎo)體公司,并利用其在藍寶石上的GaN研究和技術(shù)創(chuàng)造了其"PowiGaN"技術(shù)。與競爭對手相比,該公司采取了不同的方法,在第三代集成 InnoSwitch 設(shè)備中與硅功率程序和保護 ICs 共同包裝 GaN 器件中。
散裝GaN(或獨立的GaN或GaN-on-GaN)晶圓體體積小,價格非常昂貴,但隨著中國的很多新供應(yīng)商出現(xiàn),包括鎵特半導(dǎo)體科技(上海)有限公司、中鎵半導(dǎo)體和蘇州納維科技有限公司等,它的價格正在逐漸被拉低。Omdia最后總結(jié)道,獨立GaN晶圓上的溝渠設(shè)備的新開發(fā)者,如NexGen功率系統(tǒng)公司和奧德賽半導(dǎo)體公司,已經(jīng)出現(xiàn),但器件開發(fā)成為主流仍然需要很多年才能實現(xiàn)和普及,依然任重道遠。
文章來源:Semiconductor Today